首页> 外文OA文献 >Quasiparticle band-edge energy and band offsets of monolayer of molybdenum and tungsten chalcogenide
【2h】

Quasiparticle band-edge energy and band offsets of monolayer of molybdenum and tungsten chalcogenide

机译:准粒子带边能量和单层带的偏移   钼和钨硫属元素化物

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We report the quasiparticle energy of monolayer of molybdenum and tungstendichalcogenides, MX2 (M=Mo, W; X=S, Se, Te). Beyond calculating bandgaps, wehave achieved converged absolute band energies relative to the vacuum level.Compared with the results from other approaches, the GW calculation revealssubstantially larger bandgaps and different absolute band energies because ofenhanced many-electron effects. Interestingly, our fully-convergedquasiparticle energies ratify the band-gap-center approximation, making it aconvenient way to estimate quasiparticle energy. The absolute quasiparticleenergies and band offsets obtained in this work are important for designingheterojunction devices and chemical catalysts based on monolayerdichalcogenides.
机译:我们报告了钼和钨二卤化物MX2(M = Mo,W; X = S,Se,Te)单层的准粒子能。除了计算带隙以外,我们还获得了相对于真空能级的收敛绝对带能。与其他方法的结果相比,由于增强了多电子效应,GW计算显示出明显更大的带隙和不同的绝对带能。有趣的是,我们的完全收敛的准粒子能量批准了带隙中心近似,这使其成为方便的估算准粒子能量的方法。在这项工作中获得的绝对准粒子能量和能带偏移对于设计基于单层二卤化物的异质结器件和化学催化剂很重要。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号